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原子力显微镜 Park NX-Wafer

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具有自动缺陷检测的原子力显微镜

全自动AFM解决了缺陷成像和分析问题，提高缺陷检测生产率达1000%

帕克的智能ADR技术提供全自动的缺陷检测和识别，使得关键的在线过程能够通过高分辨率3D成像对缺陷类型进行分类并找出它们的来源。

智能ADR专门为半导体工业设计提供*先进的缺陷检测解决方案，具有自动目标定位，且不需要经常损坏样品的密集参考标记。

与传统的缺陷检测方法相比，智能ADR过程提高了1000%的生产率。此外，帕克具有创新性的True-Contact?模式AFM技术，使得新的ADR有能力提供高达20倍的更长的探针寿命。

用于**、高吞吐量CMP轮廓测量的低噪声原子力轮廓仪
工业优越的低噪声Park原子力显微镜（AFM）与长距离滑动台相结合，成为用于化学机械抛光（CMP）计量的原子力轮廓仪（AFP）。新的低噪声AFP为局部和**均匀性测量提供了非常平坦的轮廓扫描，具有*好的轮廓扫描精度和市场可重复性。这保证了在宽范围的轮廓量程上没有非线性或高噪声背景去除的**高度测量。

超高精度和*小化探针针尖变量的亚埃级表面粗糙度测量
晶圆的表面粗糙度对于确定半导体器件的性能是至关重要的。对于*先进的元件制造商，芯片制造商和晶圆供应商都要求对晶圆上超平坦表面进行更**的粗糙度控制。通过提供低于 0.5 ?的业界*低噪声，并将其与真正的非接触式模式相结合，Park NX-Wafer能够可靠地获得具有*小针尖变量的的亚埃级粗糙度测量。Park的串扰消除还允许非常平坦的正交XY扫描，不会有背景曲率，即使在*平坦的表面上，也不需过多考虑扫描位置、速率和大小。这使得其非常**和可重复地对微米级粗糙度到长范围不平整表面进行测量。

为在线晶圆厂计量提供高生产率和强大特性光片和基板的自动缺陷检测新的300mm光片ADR提供了从缺陷映射的坐标转换和校正到缺陷的测量和放大扫描成像的全自动缺陷复查过程，该过程不需要样品晶片上的任何参考标记，是独特重映射过程。与扫描电子显微镜（SEM）运行后在缺陷部位留下方形的破坏性辐照痕迹不同，新的帕克 ADR AFM能够实现先进的坐标转换和更强的视觉，利用晶圆边缘和缺口来自动实现缺陷检查设备和AFM之间的连接。由于它是完全自动化的，因此不需要任何单独的步骤来校准目标缺陷检查系统的移动平台，从而将吞吐量增加到1000%。

		基于强大视觉进行自动传送和缺陷映射的校正利用Park的专有坐标转换技术，新型Park ADR AFM能够将激光散射缺陷检测工具获得的缺陷映射**地传送到300mm Park AFM系统。

自动搜索 & 放大扫描缺陷分两步成像；(1)检测成像，通过AFM或增强光学视觉来完善缺陷定位，然后(2)放大AFM扫描来获得缺陷的详细图像，呈现缺陷类型和随后缺陷尺寸的自动分析。

CMP进行表征的长范围轮廓扫描
平坦化是在使用金属和介电材料的后段工艺中*重要的步骤。化学机械抛光（CMP）后的局部和全局均匀性对芯片制造的产量有很大的影响。**的CMP轮廓扫描是优化工艺条件、获得*佳平坦度以及提高生产率的关键计量。

C结合Park NX-Wafer的滑动平台，为CMP计量提供了远程轮廓分析能力。由于Park自动化原子力显微镜独特的平台设计，组合系统提供非常平坦的轮廓扫描，并且一般在每次测量之后不需要复杂的背景去除或前处理。Park NX-Wafer实现了****的CMP测量，包括凹陷、侵蚀和边缘过度侵蚀（EOE）的局部和全局的平坦度测量。

亚埃级表面粗糙度控制
半导体供应商正在开发超平坦晶圆，以解决不断缩小元件尺寸的需求。然而，从来没有一个计量工具能够给这些拥有亚埃级粗糙度的衬底表面提供准确和可靠的测量。通过在整个晶圆区域提供低于0.5A的业界*低噪声下限，并将其与真正非接触模式相结合，Park NX-Wafer可以对*平坦的基底和晶圆进行**、可重复和可再现的亚埃级粗糙度测量，并*小化针尖的变量。即使对于扫描尺寸达到100μm×100μm的远距离波度，也能够获得非常准确和可重复的表面测量。

高吞吐量晶圆厂检测和分析
? 自动换针
? 设备前端模块（EFEM）用于自动晶圆传送
? 洁净室兼容性和远程控制接口
? 沟槽宽度、深度和角度测量的自动数据采集和分析

Park NX-Wafer的特征
长范围轮廓仪
长范围轮廓仪是原子力轮廓仪（AFP）的重要组成部分，并且具有用于自动CMP轮廓扫描和分析的专用用户界面。
? 200mm : 10 mm
? 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)

采用闭环双伺服系统的100μm×100μm柔性导向XY扫描器
XY扫描仪由对称的二维挠曲和高-力的压电堆组成，它们提供高度正交的运动，同时具有*小的平面外运动，以及纳米尺度上**样品扫描所必需的高响应性。两个对称的低噪声位置传感器被结合在XY扫描仪的每个轴上，以便为*大扫描范围和样品大小保持高水平的扫描正交性。非线性和非平面位置误差的次级传感器校正和补偿是由单个传感器引起的。

拥有低噪声位置传感器的15μm高速Z扫描器
NX-Wafer通过利用其超低噪声Z探测器代替通常使用的非线性Z电压信号，为用户提供****的形貌高度得到的测量精度。行业优越的低噪声Z探测器取代应用Z电压作为形貌信号。由高-力压电堆驱动并由挠性结构引导，标准Z扫描器具有高的谐振频率，能够进行更**的反馈。*大Z扫描范围可由15μm扩展到40μm，采用可选的长距离Z扫描仪。

自动测量控制，使您可以获得准确的扫描避免繁琐的工作

NX-Wafer配备了自动化App，使操作几乎不费吹灰之力只要选择所需的测量程序，就可获得**的多点分析悬臂调整，扫描速率，增益和设定点参数的优化设置。

Park的用户友好的App界面为您提供了创建定制操作例程的灵活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以获得所需的测量。
创建新例程很容易。从零开始，大约需要10分钟，或不到5分钟修改现有的一个。

Park NX-Wafer的自动化系统特点:

? 无论是自动模式，半自动模式还是手动模式，都可以完全控制

? 每个自动例程的可编辑测量方法
? 对测量过程进行实时监测
? 对获得的测量数据的自动分析

生产率满足精度要求

自动换针 (ATX) ATX通过图案识别自动定位针尖，并使用一种新颖的磁性方法使用过的探针脱离并拾取新的探针。然后通过电动定位技术自动对准激光光斑。

用于更稳定扫描环境的离子化系统大家创新的离子化系统快速有效地去除了样品环境中的静电电荷。由于该系统总是产生并维持正负离子的理想平衡，因此它能够在样品处理期间产生极其稳定的电荷环境，且对周围区域几乎没有污染，可将意外静电电荷的风险*小化。

总动晶圆装卸器 (EFEM or FOUP) NX-Wafer可配置各种自动晶圆装卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破坏性的晶圆装卸器的机器人臂充分确保用户始终获得快速可靠的晶圆测量。

Park NX-Wafer规格：

系统技术参数	电动XY平台 200mm : 行程可达275 mm × 200 mm, 0.5 μm 分辨率 300mm : 行程可达400 mm × 300 mm, 0.5 μm分辨率, 1 ?m重复性电动 Z 平台 25 mm Z行程距离, 0.08 ?m分辨率, < 1 ?m重复性	电动聚焦平台 9 mm行程Z轴光学距离样品厚度厚至20 mm Full scan range Z run-out < 2 nm, repeatability < 1nm COGNEX图像识别图像校正分辨率 1/4 pixel

扫描器性能	XY扫描器 100 ?m × 100 ?m (大范围模式) 50 ?m × 50 ?m (中范围模式) 10 ?m × 10 ?m (小范围模式) 具有闭环控制的单模块挠性XY扫描器 XY扫描器分辨率 0.15 nm (大范围模式)	Z扫描器范围 15 ?m (大范围模式) 2 ?m (小范围模式) Z扫描器分辨率 0.016 nm (大范围模式) 0.002 nm (小范围模式) Z扫描器噪声 0.02 nm @ 1kHz

AFM和XY移动平台控制器	ADC 18 channels 4个高速通道 ADC通道 X、Y和Z位置传感器(24位ADC)	DAC 17 channels 2个高速通道 ADC通道 X、Y和Z的定位(20位DAC)

合规	CE SEMI S2/S8标准

振动，噪声，静电防护（ESD）性能	地板振动要求 < 0.5 ?m/s (10 Hz to 200 Hz w/ Active Vibration Isolation System)	噪音 >20 dB attenuation w/ Acoustic Enclosure

基础设施需求	待机室温 10 °C ~ 40 °C 工作室温 18 °C ~ 24 °C 湿度 30%至60% (不凝结) 地板振动要求 VC-E (3 ?m/sec) 噪音低于65 dB	气动式真空度 : -80 kPa CDA (or N2): 0.7 MPa 电源额定值 208V - 240 V,单相, 15 A (max) 总耗电量 Consult Park Systems 接地电阻低于100欧姆

选项	自动换针 (ATX) ATX通过图案识别自动定位针尖，并使用一种新颖的磁性方法使用过的探针脱离并拾取新的探针。然后通过电动定位技术自动对准激光光斑。总动晶圆装卸器 (EFEM or FOUP) NX-Wafer可配置各种自动晶圆装卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破坏性的晶圆装卸器的机器人臂充分确保用户始终获得快速可靠的晶圆测量。用于更稳定扫描环境的离子化系统大家创新的离子化系统快速有效地去除了样品环境中的静电电荷。由于该系统总是产生并维持正负离子的理想平衡，因此它能够在样品处理期间产生极其稳定的电荷环境，且对周围区域几乎没有污染，可将意外静电电荷的风险*小化。

尺寸 & 重量	200 mm系统 2732 mm(w) × 1100 mm(d) x 2400 mm(h) w/ EFEM, 2110 kg approx. (包括控制箱) 升限高度 2000 mm以上操编辑工作空间 *小3300 mm (w) x 1950 mm (d)	300 mm系统 3486 mm(w) × 1450 mm(d) x 2400 mm(h) w/ EFEM, 2950 kg approx. (包括控制箱) 升限高度 2000 mm以上操编辑工作空间 *小4770 mm (w) x 3050 mm (d)

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Park Wafer	1.3 mb	39	下载只有会员下载，请登录下载

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