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非破坏性方式在晶片或器件内进行成像


WDI设计并制造了自动红外激光共聚焦显微镜 (IRLC)。

IRLC可以对硅晶片的表面之下和内部进行检查, 使其内部结构以亚微米分辨率呈现。



激光共聚焦显微镜多层检测


由近红外激光和扫描共聚焦组合而成的IRLC有着诸多优势。首先便是具备了对薄晶片的多层高分辨率图像的采集能力;同时,IRLC具备更深的样品穿透能力、更高的分辨率和更快的图像采集速度;


近红外优化光路


系统包含了全套Olympus近红外长工作距离物镜。这组物镜专为硅晶圆的内部结构检测而设计,采用优化的近红外光学系统,并配备专用的校正环以适应不同后面的硅片或玻璃表面。


一键双视野


IRLC包含一组可见光彩色成像系统和一组近红外共聚焦系统。这种搭配可对样品表面和底层(*深达800μm)同时成像。

由于采用了ATF6/0AA/ZAA技术(即实时快速自动聚焦技术),IRLC实现了真正意义上的实时聚焦-不管观察方式和样品表面状况如何变化,视野内持续聚焦状态。


简洁的App界面


功能完善、操作简单,直观的App界面设计旨在提高工作效率,简化检测流程。基本操控功能包括对照明、放大倍率、XYZ控制以及对焦补偿的参数调整。 载物台移动可通过App操控、手柄操控、或者简单地点击实时画面来完成。


高 级功能


线性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 测量及高 级图像采集选项可实现均帧、AveragedImage、Z轴序列采集、以及在两点间图像序列采集。



自动检测


集成了全电动控制和自动聚焦的IRLC,配合全自动App可实现全自动检测流程,并可在同一流程内对多个样品进行检测。


CIS(CMOS成像芯片)


很多CIS模块已经在像素上方加装了保护面板和彩色滤光片,给检测带来很多困难。使用IRLC即可轻松看到表面之下的结构特征。

5X BF (Front)

5X IRLC (Front)

20X IRLC (Front)

50X IRLC (Front)

100X IRLC (Front)

 


高掺杂半导体


从正面穿透金属基板观察是不可能实现的;使用IRLC从背面穿透300μm高掺杂硅可清晰观察到该区域下的内部结构。

10XBF (Front)

20XIRLC (Back)

50XIRLC (Back)

100XIRLC (Back)


低掺杂半导体


使用IRLC从背面穿透800μm低掺杂硅,刻蚀图案清晰可见。

        

5X BF (Front)

20XIRLC (Back)

50X IRLC (Back)

100X RLC (Back)


MEMS器件 


仅使用明场观察,表面细节清晰可见;使用IRLC,表面之下的MEMs结构清晰可见。

5X BF (Front)

5X IRLC (Front)

10XIRLC (Front)

20XIRLC (Front)


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